BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G
BWCD24L-04G BWCD24M-08 EPOP LPDDR4X IC-chips voor smart wear AR/VR
BWCD24L-04G
BWCD24M-08G
BWCK1EZH-32G-X
BWCL1EZC-32G-X
BWCK1EZC05-64G
BWCK1KZC02-64G
ePOP combineert MMC en Mobile LPDDR in één pakket, met verschillende capaciteiten.met inbegrip van geavanceerd wafermalenBIWIN integreert RAM en ROM in één apparaat, wat niet alleen de prestaties en energie-efficiëntie verbetert,maar bespaart ook ruimte op printplaten (PCB), waardoor de ontwikkelingstijd voor de klanten wordt verkort.
ePOP is een ideale oplossing voor draagbare en draagbare apparaten, zoals smartphones, tablets, PMP, PDA's en andere mediaapparaten.
Toepassing:
Smart Wear
AR/VR
Beschrijving:
ePoP LPDDR4X integreert LPDDR4X DRAM en eMMC 5.1 opslag in een Package-on-Package (PoP) oplossing met een 144-ball FBGA pakket. Met een compacte afmeting van slechts 8,00 x 9,50 mm bereikt het opeenvolgende lees- en schrijfsnelheden tot 290 MB/s en 140 MB/s, met een frequentie tot 4266 Mbps. BIWIN ePoP LPDDR4X biedt capaciteit tot 64 GB+32 Gb. Het is een opslagoplossing van de volgende generatie ontworpen voor high-end smartwatches. In vergelijking met vorige generaties heeft deze oplossing een frequentiegroei van 128,6%, een afname van de grootte van 32% en is gecertificeerd door het Qualcomm 5100-platform.
Specificatie:
| Interface | eMMC: eMMC 5.0 / eMMC 5.1 |
| LPDDR 2 / LPDDR 3: 32 bit | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 16 bit | |
| Afmetingen | 10.0 × 10,00 mm (136b) |
| 8.00 × 9,50 mm (144b) | |
| 8.60 × 10,40 mm (144b) | |
| 12.00 × 13.00 mm (320b) | |
| Maximaal. | eMMC: 320 MB/s |
| Max. Sequentieel schrijven | eMMC: 260 MB/s |
| Frequentie | LPDDR 2 / LPDDR 3: 1200 MHz |
| LPDDR 4x: 1200 MHz - 1866 MHz | |
| Capaciteit | 4 GB + 4 GB |
| 8 GB + 4 GB / 8 GB + 8 GB | |
| 16 GB + 8 GB | |
| 32 GB + 16 GB | |
| 64 GB + 16 GB | |
| Werkspanning | Voor de toepassing van deze richtlijn wordt het gebruik van de in bijlage I vermelde systemen als bedoeld in punt 3.4.1 van bijlage II bij Verordening (EG) nr. 1907/2006 van het Europees Parlement en de Raad van 16 december 2006 betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten van de lidstaten van de lidstaten van de lidstaten van de lidstaten. |
| LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = VDDCA = VDDQ = 1,2 V | |
| LPDDR 4: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = VDDQ = 1,1 V | |
| LPDDR 4x: VDD1=1,8 V, VDD2=1,1 V, VDDQ=0,6 V | |
| Werktemperatuur | -20°C - 85°C |
| Goedgekeurde verificatieplatformen | SnapDragon Wear 3100 / 5100 |
| MSM8909W... | |
| Verpakking | FBGA136 / FBGA144 / FBGA320 |
| Toepassing | Smart Wear AR/VR |
Meest gerelateerde flash geheugen IC:
| BWCMAQB11T08GI |
| BWCMAQB11T16GI |
| BWEFMI032GN2RJ |
| BWEFMI064GN223 |
| BWEFMI128GN223 |
| BWEFMA064GN1KC |
| BWEFMA128GN1KC |
| BWMZAX32H2A-16GI-X |
| BWMZCX32H2A-32GI-X |
| BWMEIX32H2A-48GI-X |
| BWMZCX32H2A-64GI-X |
| BWLGYA002GN6ZA |
| BWLGYA004GN6ZC |
| BWLGYA006GN6EI |
| BWLGYA008GN6ZC |
BWET08U -XXG SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash IC voor Smart Wear Networking
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC voor smartphone
DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC voor in het voertuig / smartphone / gaming
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC voor In-vehicle / Notebook
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC
| Beeld | deel # | Beschrijving | |
|---|---|---|---|
|
|
BWET08U -XXG SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash IC voor Smart Wear Networking |
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
|
|
|
|
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC voor smartphone |
LPDDR (stands for Low Power Double Data Rate) SDRAM is a kind of DDR, being mainly characterized by its Low Power consum
|
|
|
|
DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC voor in het voertuig / smartphone / gaming |
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
|
|
|
|
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC voor In-vehicle / Notebook |
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
|
|
|
|
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G |
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
|
|
|
|
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC |
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
|