Bericht versturen
Huis > producten > Discrete halfgeleiders > Bipolaire BJT de Transistor Afzonderlijke Halfgeleiders van PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

Bipolaire BJT de Transistor Afzonderlijke Halfgeleiders van PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

Categorie:
Discrete halfgeleiders
Prijs:
Negotiated
Betalingswijze:
T/T, Western Union
Specificaties
Beschrijving:
TRANS NPN 400V 0.5A SOT89
Familie:
Discrete halfgeleiderproducten
Categorie:
Elektronische component-Transistors
Basisartikelnummer:
PBHV8540
Details:
De bipolaire Transistor NPN 400 V 500 mA 30MHz (van BJT) 520 mw
Type:
Transistors - FET's, MOSFET's - Single
Pakket:
Dronkaard-89
Opzettend Type:
De oppervlakte zet op
Hoog licht:

PBHV8540X

,

PBHV8540

,

Nexperia Bipolaire BJT Transistor

Inleiding

De Bipolaire (BJT) Transistor 500V lage VCEsat (BISS) transistor de met hoog voltage 0,5 van PBHV8540X PBHV8540 Nexperia van A NPN A NPN

Afzonderlijke Halfgeleider product-A NPN lage VCEsat (BISS) transistor met hoog voltage

Beschrijving:

Lage VCEsat Doorbraak de met hoog voltage van NPN in Kleine Signaal (BISS) transistor het middelhoogvermogen en vlakke lood oppervlakte-Opgezette Apparaten (SMD) plastic pakket in van een SOT89 (Sc-62). PNP-aanvulling: PBHV9040X.

Toepassing:

• HOOFDbestuurder voor LEIDENE kettingsmodule

• LCD het backlighting

• Automobielmotorbeheer

• Haakschakelaar voor getelegrafeerde telecommunicatie

• De Voeding van de schakelaarwijze (SMPS)

Eigenschappen:

• Hoogspanning

• Laag collector-zender verzadigingsvoltage VCEsat

• Hoog collector huidig vermogen IC en ICM

• Hoge collector huidige aanwinst hFE in hoog IC

• Aec-Q101 gekwalificeerd

De Versie van de naambeschrijving

Het oppervlakte-opgezette pakket van PBHV8540X SOT89 plastiek; matrijzenstootkussen voor goede hitteoverdracht; 3 lood

Product Technische Beschrijvingen

Categorie
Afzonderlijke Halfgeleiderproducten
 
De Bipolaire transistors - (BJT) - kiezen uit
Mfr
Inc. van de Nexperiav.s.
Deelstatus
Actief
Transistortype
NPN
Huidig - Collector ((Maximum) Ic)
500 mA
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender
400 V
(Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic
250mV @ 60mA, 300mA
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding
100nA
De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Maximum macht -
520 mw
Frequentie - Overgang
30MHz
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Opzettend Type
De oppervlakte zet op
Pakket/Geval
Aan-243AA
Het Pakket van het leveranciersapparaat
Dronkaard-89
Het Aantal van het basisproduct
PBHV8540
Artikelnummer PBHV8540X, 115
De EU RoHS Volgzaam met Vrijstelling
ECCN (vs) EAR99
Deelstatus Actief
HTS 8541.29.00.95

Beelden:

Bipolaire BJT de Transistor Afzonderlijke Halfgeleiders van PBHV8540X PBHV8540 NexperiaBipolaire BJT de Transistor Afzonderlijke Halfgeleiders van PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10