IRF1404ZPBF N-kanaaltransistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
IRF1404ZPBF N-kanaaltransistor
,180A 200W HEXFET FET-MOSFET
,N-kanaaltransistor 180A 200W
IRF1404ZPBF Transistors N-kanaal 180A 200W Through-hole TO-220AB HEXFET FET's MOSFET's
N-kanaal 180A (Tc) 200W (Tc) Through-hole TO-220AB Specificatie:
Categorie
|
Discrete halfgeleiderproducten
|
Transistors - FET's, MOSFET's - Single
|
|
Mfr
|
Infineon-technologieën
|
Serie
|
HEXFET®
|
Pakket
|
Buis
|
FET-type
|
N-kanaal
|
Technologie
|
MOSFET (metaaloxide)
|
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
|
40 V
|
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
|
180A (Tc)
|
Aandrijfspanning (Max Rds Aan, Min Rds Aan)
|
10V
|
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
|
3.7mOhm @ 75A, 10V
|
Vgs(th) (Max) @ Id
|
4V @ 250µA
|
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
|
150 nC @ 10 V
|
Vg (maximaal)
|
±20V
|
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
|
4340 pF @ 25 V
|
FET-functie
|
-
|
Vermogensdissipatie (Max)
|
200W (Tc)
|
Bedrijfstemperatuur:
|
-55 °C ~ 175°C (TJ)
|
Montage type
|
Doorgaand gat
|
Apparaatpakket van leverancier
|
TO-220AB
|
Pakket/Geval:
|
TO-220-3
|
Basisproductnummer
|
IRF1404
|
Beschrijving
Deze HEXFET® Power MOSFET maakt gebruik van de nieuwste verwerkingstechnieken om een extreem lage aan-weerstand per siliciumgebied te bereiken.
Extra kenmerken van dit product zijn een bedrijfstemperatuur van de knooppunten van 175°C, een hoge schakelsnelheid en een verbeterde classificatie van herhaalde lawines.Deze eigenschappen maken dit ontwerp samen tot een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een breed scala aan toepassingen.
ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
---|---|
RoHS-status | ROHS3-compatibel |
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 1 (onbeperkt) |
REACH-status | REACH Onaangetast |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
Onderdeel nummer | IRF1404ZPBF |
Basis onderdeelnummer | IRF1404 |
EU RoHS | Voldoet aan vrijstelling |
ECCN (VS) | EAR99 |
Onderdeelstatus | Actief |
HTS | 8541.29.00.95 |