W9725G6KB-25 DRAM ic-chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-pins WBGA
W9725G6KB-25 DRAM ic-chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-pins WBGA
DRAM-chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-pins WBGA
1. ALGEMENE BESCHRIJVING:
De W9725G6KB is een 256M bits DDR2 SDRAM, georganiseerd als 4.194.304 woorden 4 banken 16 bits.Dit apparaat bereikt hoge overdrachtsnelheden tot 1066 Mb/sec/pin (DDR2-1066) voor algemene toepassingen.W9725G6KB is gesorteerd in de volgende snelheidsklassen: -18, -25, 25I en -3.De -18 kwaliteit onderdelen voldoen aan de DDR2-1066 (7-7-7) specificatie.De onderdelen van -25 en 25I voldoen aan de DDR2-800 (5-5-5) of DDR2-800 (6-6-6) specificatie (de 25I onderdelen van industriële kwaliteit die gegarandeerd -40 °C ondersteunen ≤ TCASE ≤ 95 °C).De -3 kwaliteit onderdelen voldoen aan de DDR2-667 (5-5-5) specificatie.Alle besturings- en adresingangen zijn gesynchroniseerd met een paar extern gevoede differentiële klokken.Ingangen zijn vergrendeld op het kruispunt van differentiële klokken (CLK stijgend en CLK dalend).Alle I/O's worden gesynchroniseerd met een single-ended DQS of differentieel DQS-DQS-paar op een bronsynchrone manier.
2. KENMERKEN Voeding: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1V Architectuur met dubbele datasnelheid: twee gegevensoverdrachten per klokcyclus CAS-latentie: 3, 4, 5, 6 en 7 Burst-lengte: 4 en 8 Bi -directionele, differentiële data-flitsers (DQS en DQS) worden verzonden/ontvangen met data Edge-aligned met Read data en centre-aligned with Write data DLL lijnt DQ- en DQS-overgangen uit met klok Differentiële klokingangen (CLK en CLK) Datamaskers (DM) voor het schrijven van gegevens Opdrachten ingevoerd op elke positieve CLK-rand, data en datamasker worden verwezen naar beide randen van DQS Geposte CAS programmeerbare additieve latentie ondersteund om commando- en databus-efficiëntie te maken Read Latency = Additive Latency plus CAS Latentie (RL = AL + CL) Off-Chip-Driver impedantie-aanpassing (OCD) en On-Die-Termination (ODT) voor een betere signaalkwaliteit Automatische voorlaadfunctie voor lees- en schrijfbursts Auto Refresh en Self Refresh modi Voorgeladen uitschakelen en actief uitschakelen Schrijfgegevensmasker Schrijflatentie = Lezen Latency - 1 (WL = RL - 1) Interface: SSTL_18 Verpakt in WBGA 84 Ball (8x12,5 mm2), met gebruikmaking van loodvrije materialen met RoHS-conformiteit.
Gerelateerde apparaatinformatie:
| ONDERDEELNUMMER SNELHEIDSGRAAD BEDRIJFSTEMPERATUUR |
| W9725G6KB-18 DDR2-1066 (7-7-7) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C |
| W9725G6KB-25 DDR2-800 (5-5-5) of DDR2-800 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C |
| W9725G6KB25I DDR2-800 (5-5-5) of DDR2-800 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C |
| W9725G6KB-3 DDR2-667 (5-5-5) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C |
| ATTRIBUUT | BESCHRIJVING |
|---|---|
| RoHS-status | ROHS3-compatibel |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) | 3 (168 uur) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |