Bericht versturen
Huis > producten > Discrete halfgeleiders > IRF1404ZPBF N-kanaaltransistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

IRF1404ZPBF N-kanaaltransistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

Categorie:
Discrete halfgeleiders
Prijs:
Negotiated
Betalingswijze:
T/T, Western Union
Specificaties
Beschrijving:
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Familie:
Discrete halfgeleiderproducten
Categorie:
Elektronische componenten-MOSFET (metaaloxide)
Reeks:
HEXFET MOSFET (metaaloxide)
Basisartikelnummer:
IRF1404
Details:
N-kanaal 180A (Tc) 200W (Tc) Through-hole TO-220AB
Type:
Transistors - FET's, MOSFET's - Single
Pakket:
TO220
Opzettend Type:
Door Gat
Hoog licht:

IRF1404ZPBF N-kanaaltransistor

,

180A 200W HEXFET FET-MOSFET

,

N-kanaaltransistor 180A 200W

Inleiding

IRF1404ZPBF Transistors N-kanaal 180A 200W Through-hole TO-220AB HEXFET FET's MOSFET's

 

N-kanaal 180A (Tc) 200W (Tc) Through-hole TO-220AB Specificatie:

Categorie
Discrete halfgeleiderproducten
 
Transistors - FET's, MOSFET's - Single
Mfr
Infineon-technologieën
Serie
HEXFET®
Pakket
Buis
FET-type
N-kanaal
Technologie
MOSFET (metaaloxide)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
40 V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds Aan, Min Rds Aan)
10V
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vg (maximaal)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4340 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (Max)
200W (Tc)
Bedrijfstemperatuur:
-55 °C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Doorgaand gat
Apparaatpakket van leverancier
TO-220AB
Pakket/Geval:
TO-220-3
Basisproductnummer
IRF1404

 

Beschrijving

Deze HEXFET® Power MOSFET maakt gebruik van de nieuwste verwerkingstechnieken om een ​​extreem lage aan-weerstand per siliciumgebied te bereiken.

Extra kenmerken van dit product zijn een bedrijfstemperatuur van de knooppunten van 175°C, een hoge schakelsnelheid en een verbeterde classificatie van herhaalde lawines.Deze eigenschappen maken dit ontwerp samen tot een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een breed scala aan toepassingen.

 

Milieu- en exportclassificaties
ATTRIBUUT BESCHRIJVING
RoHS-status ROHS3-compatibel
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (onbeperkt)
REACH-status REACH Onaangetast
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

Onderdeel nummer IRF1404ZPBF
Basis onderdeelnummer IRF1404
EU RoHS Voldoet aan vrijstelling
ECCN (VS) EAR99
Onderdeelstatus Actief
HTS 8541.29.00.95

 

 

IRF1404ZPBF N-kanaaltransistor 180A 200W HEXFET FET MOSFETIRF1404ZPBF N-kanaaltransistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

 

 

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pieces