N-Channel van BTS282Z E3230 to220-7 MOSFET 49V 80A Transistorsfets
de Transistorsfets van 49V 80A
,N-Channel MOSFET Transistorsfets
N-Channel van BTS282Z E3230 to220-7 MOSFET 49V 80A Transistorsfets
BTS282ZE3230AKSA2 machtsmosfet van Infineon Technologies. Zijn maximummachtsdissipatie is 300000 mw.
om geen delen te verzekeren niet worden beschadigd door bulk te verpakken, komt dit product in buis verpakking om een weinig meer toe te voegen
bescherming door de losse delen in een buitenbuis op te slaan.
Deze MOSFET transistor heeft een werkende temperatuurwaaier van -40 °C aan 175 °C.
Deze n-kanaalmosfet transistor werkt op verhogingswijze.
Specificatie:
Categorie
|
Afzonderlijke Halfgeleiderproducten
|
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
|
|
Mfr
|
Infineon Technologies
|
Reeks
|
TEMPFET®
|
Pakket
|
Buis
|
Deelstatus
|
Verouderd
|
FET Type
|
N-Channel
|
Technologie
|
MOSFET (Metaaloxide)
|
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss)
|
49 V
|
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C
|
80A (Tc)
|
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
4.5V, 10V
|
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs
|
6.5mOhm @ 36A, 10V
|
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart
|
2V @ 240µA
|
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs
|
nC 232 @ 10 V
|
(Maximum) Vgs
|
±20V
|
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds
|
4800 pF @ 25 V
|
FET Eigenschap
|
Temperatuur Ontdekkende Diode
|
(Maximum) machtsdissipatie
|
300W (Tc)
|
Werkende Temperatuur
|
-40°C ~ 175°C (TJ)
|
Opzettend Type
|
Door Gat
|
Het Pakket van het leveranciersapparaat
|
P-to220-7-230
|
Pakket/Geval
|
Aan-220-7
|
ATTRIBUTEN | BESCHRIJVING |
---|---|
RoHSstatus | ROHS3 volgzaam |
Vochtigheidsvertrouwelijkheidsniveau (MSL) | 1 (Onbeperkt) |
BEREIKstatus | Onaangetast BEREIK |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
Artikelnummer | BTS282Z E3230 |
Basisartikelnummer | BTS282Z |
De EU RoHS | Volgzaam met Vrijstelling |
ECCN (vs) | EAR99 |
Deelstatus | Actief |
HTS | 8541.29.00.95 |