Bericht versturen
Huis > producten > Discrete halfgeleiders > Infineon HEXFET Power MOSFET N Kanaal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Kanaal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Categorie:
Discrete halfgeleiders
Prijs:
Negotiated
Betalingswijze:
T/T, Western Union
Specificaties
Familie:
Discrete halfgeleiderproducten
Categorie:
Elektronische componenten-MOSFET (metaaloxide)
Reeks:
HEXFET MOSFET (metaaloxide)
Basisartikelnummer:
IRLR3915
Details:
N-kanaal 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Opbouwmontage D-Pak
Type:
Transistors - FET's, MOSFET's - Single
Beschrijving:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Pakket:
TO-252-3, DPak (2 kabels + lipje), SC-63
Opzettend Type:
De oppervlakte zet op
Hoog licht:

Infineon HEXFET Power-MOSFET

,

MOSFET N-kanaal 55V 30A

,

55V 30A HEXFET Power-MOSFET

Inleiding

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-kanaal 55V 30A DPAK discrete halfgeleiderproducten

 

N-kanaal 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Opbouwmontage D-Pak

 

Beschrijving

Deze HEXFET® Power MOSFET maakt gebruik van de nieuwste verwerkingstechnieken om een ​​extreem lage aan-weerstand per siliciumgebied te bereiken.

Extra kenmerken van dit product zijn een bedrijfstemperatuur van de knooppunten van 175°C, een hoge schakelsnelheid en een verbeterde classificatie van herhaalde lawines.Deze eigenschappen maken dit ontwerp samen tot een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een breed scala aan toepassingen.

 

Functies :

Geavanceerde procestechnologie Ultra lage aan-weerstand 175°C Bedrijfstemperatuur Snel schakelen Repetitieve lawine toegestaan ​​tot Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

Technische productspecificaties:

 

Onderdeel nummer IRLR3915TRPBF
Basis onderdeelnummer IRLR3915
EU RoHS Voldoet aan vrijstelling
ECCN (VS) EAR99
Onderdeelstatus Actief
HTS 8541.29.00.95
Categorie
Discrete halfgeleiderproducten
 
Transistors - FET's, MOSFET's - Single
Mfr
Infineon-technologieën
Serie
HEXFET®
Pakket
Band & Spoel (TR)
Onderdeelstatus
Actief
FET-type
N-kanaal
Technologie
MOSFET (metaaloxide)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
55 V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds Aan, Min Rds Aan)
5V, 10V
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vg (maximaal)
±16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (Max)
120W (Tc)
Bedrijfstemperatuur:
-55 °C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Opbouwmontage
Apparaatpakket van leverancier
D-Pak
Pakket/Geval:
TO-252-3, DPak (2 kabels + lipje), SC-63
Basisproductnummer
IRLR3915

 

 

Infineon HEXFET Power MOSFET N Kanaal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Kanaal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Kanaal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

 

 

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10